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betway必威官网手机版:功率半导体收音机行当应

来源:http://www.abirdfarm.com 作者:betway必威官网手机版 时间:2019-06-20 23:09

原标题:9/9集成电路近期动态

上周五,市场小道消息:记者从西安电子科技大学芜湖研究院获悉,作为芜湖大院大所合作的重点项目,国产化5G通信芯片用最新一代碳化硅衬底氮化镓材料试制成功,打破国外垄断。据专家说,这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片,有望用上国产材料。

如果说中央处理器是一台计算机的心脏,功率半导体就是电机的心脏,它可以实现对电能的高效产生、传输、转换、存储和控制。我国发布《中国制造2025》,勾勒出未来十年产业转型升级的整体方向与发展规划,在此过程中,功率半导体发挥的作用不可替代。

目前,全球半导体分立器件主要以美日欧企业为主,高端市场几乎被这三大主力国垄断。在高端半导体分立器件领域,由于国内厂商尚未形成规模效应与集群效应,所以其生产仍以“代工”模式为主。

betway必威官网手机版:功率半导体收音机行当应有怎么样的路线图,9集成都电子通信工程高校路那二日动态。与牛共舞研究中心:《2019年中国第三代半导体材料产业演进及投资价值研究》白皮书在2019世界半导体大会期间发布。2018年,在5G、新能源汽车、绿色照明等新兴领域蓬勃发展以及国家政策大力扶持的双重驱动力下,我国第三代半导体材料市场继续保持高速增长,总体市场规模已达到5.97亿元,同比增长47.3%。预计未来三年中国第三代半导体材料市场规模仍将保持20%以上的平均增长速度,到2021年将达到11.9亿元。相关公司有望受益。

生产芯片有望用上国产材料,这实际上就是自主创新,如果创新的成效足够大,那么必然是颠覆性的。

然而,与集成电路产业相似,我国功率半导体产业的发展水平与国际先进水平也存在着巨大差距。人们常拿我国每年集成电路进口额与石油进行比较,其实如果按比例计算,我国功率半导体的进口替代能力可能更弱。随着“节能减排”、“开发绿色新能源”成为我国长期发展的基本国策,通过“互联网 ”推进信息化与工业化深度融合成为既定任务,加快发展功率半导体产业已经成为当务之急。

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随着技术的发展,终端设备对于半导体器件性能、效率、小型化要求的越来越高。特别是随着5G的即将到来,也进一步推动了以氮化镓第三代半导体材料的快速发展。

众所周知,集成电路本身是我们产业的薄弱环节,所以这则科技创新新闻有必要让笔者好好了解下所谓的碳化硅衬底氮化镓到底是个什么材料。

针对我国当前功率半导体产业发展状况以及2016年~2020年以功率半导体为核心的电力电子产业发展重点,中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟、中国IGBT技术创新与产业联盟、中国电器工业协会电力电子分会、北京电力电子学会共同发布《电力电子器件产业发展蓝皮书》(以下简称《蓝皮书》)。《蓝皮书》指出,电力电子器件产业主要是核心的电力电子芯片和封装的生产,但也离不开半导体和电子材料、关键零部件、制造设备、检测设备等产业的支撑,其发展既需要上游基础的材料产业的支持,又需要下游装置产业的拉动。

半导体分立器件主要应用市场

目前占据消费品电子领域市场主流的砷化镓射频功率放大器已无法满足5G的技术需求,相比之下,氮化镓射频功率放大器具有更高的功率、增益和效率,用于基站端能更有效地满足未来5G技术所需要的高功率、高效率以及高通信频段等要求。因此,GaN PA成为最有潜力的发展热点。

碳化硅是什么?衬底的氮化镓材料又是什么?这种双结合的创新是否可以利用到集成电路创新?最好的情况是碳化硅衬底的氮化镓成为国产材料的跨越性突破,完全打破了国外的垄断,并且创造了广阔的市场空间,唯有此,这才能引起市场的狂热,下面就给大家挖挖这个尚未热潮的技术题材。

做强功率半导体,推进《中国制造2025》

汽车领域是全球半导体分立器件最大的应用市场,且全球排名前十的分立器件厂商的占比均以汽车为主。以下为半导体分立器件(制造)产业链图:

研究数据显示2016年射频功率半导体市场规模接近15亿美元,预计2020年将达到26亿美元,其中电信基础设施(包含基站、无线回传)射频功率半导体将占据一半的市场份额。但是2016年GaAs器件市场占比较多,GaN器件仅占比约20%。2017年GaN射频器件市场规模约为3.8亿美元,预计2023年将达到13亿美元。

集成电路,按照产品种类分为四大类:微处理器、存储器、逻辑器件、模拟器件。随着半导体器件应用领域的不断扩大,许多特殊场合要求半导体能够在高温、强辐射、大功率等环境下依然能够坚持使用,第一代、第二代半导体材料无能为力。大部分半导体器件和99%以上的集成电路,实际上都是由硅材料制作的。随着应用范围的扩大,以硅材料为主的半导体,已经无法满足高温、高压、抗辐射等方面要求,而碳化硅材料则是硅材料的有力补充。

作为半导体产业的一大分支,与集成电路相仿,功率半导体的作用同样巨大。《蓝皮书》指出,电力电子器件是采用半导体材料制造、用于实现电能高效转换的开关控制电子器件,包括功率半导体分立器件、模块和组件等。它们是实现对电能高效产生、传输、转换、存储和控制,提高能源利用效率、开发可再生能源,推动国民经济可持续发展的基础。

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与牛共舞研究中心观点:目前,全球70-80%的第三代半导体材料碳化硅产量来自美国。中美贸易摩擦持续发酵背景下,第三代半导体材料国产化替代进程望加速。

碳化硅和氮化镓都是当前功率半导体的核心技术方向。碳化硅器件的效率、功率密度等性能远远高于当前市场主流产品。

近年来,“节能减排”、“开发绿色新能源”已成为我国长期发展的基本国策。在我国绿色能源产业发展的推动下,功率半导体已经成为建设节约型社会、促进国民经济发展、践行创新驱动发展战略的重要支撑。此外,功率半导体不仅涉及电力电子器件、电力电子装置、系统控制及其在各个行业的应用,还涉及相关的半导体材料、电工材料、关键结构件、散热装置、生产设备、检测设备等产业,产业链长、产业带动作用巨大,在推进实施《中国制造2025》规划中具有重大意义,对深入推进制造业结构调整和企业技术改造,实施中国制造强国建设“三步走”的发展战略提供强大的支撑。

目前,中国半导体分立器件较全球仍较低端,汽车占比仅15%。未来,新能源汽车和智能驾驶有望燃爆半导体分立器件,传统内燃机汽车单台分立器件用量仅71美金,而新能源汽车单台用量达到387美金,是传统汽车用量的5倍以上。

与牛共舞研究中心深入分析相关个股后,建议投资者关注以下标的:

以碳化硅、氮化镓、氧化锌、金刚石、氮化铝为代表的宽禁带半导体材料为半导体材料的市场主导,统称第三代半导体材料。第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度,更高的击穿电场、热导率,适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件,通常又被称为高温半导体材料。从第三代半导体材料和器件的研究来看,较为成熟的是碳化硅和氮化镓,且碳化硅技术最为成熟,而氧化锌、金刚石、氮化铝等材料的研究尚属起步阶段。

正是由于电力电子器件的巨大作用,已经形成一个庞大的市场需求和产业规模。《蓝皮书》数据显示,2013年国际电力电子器件市场容量已接近1千亿美元,而且市场年平均增长速度在15%左右。“十二五”以来,我国电力电子器件市场在全球市场中所占份额就越来越大,已成为全球最大的大功率电力电子器件需求市场。我国市场的增长速度高于全球水平,年增长率近20%。

半导体分立器件种类及命名

有研新材: 有研光电是我国先进半导体材料和红外光学材料的主要研发中心和生产基地,拥有国内最大规模的红外锗单晶生产线;拥有世界最大、国内唯一的水平GaAs单晶生产线,是全球红外LED衬底片的最大供应商。与牛共舞资金系统的“一箭三雕”指标和“机构底牌”指标发出做多信号。

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国际大厂主导产业,中国功率半导体亟需做强

半导体分立器件各类繁多,通常可分为半导体二极管、晶体三极管、功率整流器件和场效应晶体管等。

海特高新: 海威华芯为公司控股子公司,主要从事第二代/第三代化合物半导体集成电路芯片的研制,产品主要面向5G,雷达,新能源,物联网等高端芯片市场。与牛共舞资金系统的“短线操盘”指标和“机构底牌”指标发出看涨信号。

SiC碳化硅是一种天然超晶格,由于Si与C双原子层堆积序列的差异会导致不同的晶体结构,有着超过200种同质多型族。SiC很适合用作新一代发光二极管的衬底材料、大功率电力电子材料。举个例子:碳化硅LED照明设备可以在亮度提高2倍的情况下,只使用原LED灯的使用数量的70%,使用成本下降40%,导热能力提高10倍。LED照明是未来光照领域的发展方向,日常生活中人们可见到的各类信号灯、车内照明、信息屏、彩色显示设备,白光照明现在都利用碳化硅LED半导体,它能够实现更高的电光转换效率,大幅降低成本、减少污染。

《蓝皮书》同时指出,虽然功率半导体产业极具重要性,且规模庞大,但是主要供应商集中在美国、日本和欧洲。美国是电力电子器件的发源地,在全球电力电子器件市场中占有重要地位,主要器件企业有通用电气、ON Semi等。从上世纪90年代开始,日本成为国际上电力电子器件产业的发达地区,主要器件企业有东芝、富士和三菱等。欧洲也是全球电力电子器件产业的发达地区,主要企业有英飞凌、ABB、Semikron等。国际上SiC电力电子器件的主要供应商有Wolfspeed、英飞凌、罗姆、东芝、富士和三菱等公司;国际上GaN电力电子器件的主要企业有英飞凌、松下、富士通、三星、Transphom、GaN System、EPC、Avogy等。

半导体二极管又可分为普通二极管和特殊二极管,晶体三极管则包括锗管和硅管。功率整流器件主要包括晶闸管整流器和硅堆等。场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两种。

耐威科技: 2018年12月份,公司控股子公司聚能晶源成功研制“8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圆”。本次“8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圆”的性能测试在公司内部进行,属于企业自主测试结果。与牛共舞资金系统的“主力吸筹”指标和“个股操盘”指标发出看涨信号

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碳化硅还广泛运用于新能源汽车的快速充电技术。传统的新能源汽车推广的难点之一就是充电慢,而现在开发的快速充电桩则使用碳化硅半导体材料,可以大大提高设备的充电效率、降低使用成本,整套装置的投资更少,收益更高。高端的特斯拉汽车,例如现在产量最高的M3车型中核心的电机控制器全部使用碳化硅半导体模块。因为在碳化硅的器件可以耐高温,M3车型可以通过提高驱动模块的工作温度来保证动力系统的长时间高功率输出,这也是特斯拉在电机技术中独领风骚的优势之一。

从技术角度看,在超大功率(电压3.3kV以上、容量1~45MW)领域。目前,国际上6英寸8.5kV/5kA晶闸管已商品化。瑞士ABB等公司开发了非对称型、逆导型和逆阻型IGCT的产品,研发水平已达到9kV/6kA,商业化产品有4.5kV和6kV两种系列,其中6.5kV/6kA的IGCT产品已经开始供应市场。

命名:中国半导体分立器件型号命名方法在国家标准《半导体分立器件型号命名方法》(GB249-89)中进行了规定,该标准于1990年4月1日开始实施。

北方华创: 公司从事基础电子产品的研发、生产、销售,主要产品为大规模集成电路制造设备、混合集成电路及电子元件。公司做为承担国家电子专用设备重大科技攻关任务的骨干企业。与牛共舞资金系统的“一箭三雕”指标和“机构底牌”指标发出积极信号。

全球工业功率半导体市场预测:2018年市场规模将超100亿美元

碳化硅还是一种可以应用在微波通讯上的关键材料。微波通讯采用的功率器件需要满足高频、大功率和耐高温的要求,是军用雷达系统的核心部件。

在中大功率领域(电压1200V~6.5kV),IGBT是市场上的主流产品。IGBT器件(包括大功率模块、智能功率模块)已经涵盖了300V~6.5kV的电压和2A~3600A的电流。近年来,以德国英飞凌,瑞士ABB,日本三菱、东芝和富士等为代表的电力电子器件企业开发了先进的IGBT技术和产品,占全球每年约50亿美元的市场,带动了高达几百亿美元的电力电子设备市场。

第一部分:器件的电极数目,用阿拉伯数字表示;

南大光电: 南大光电建设的高纯磷烷、砷烷研发和产业化项目已经列入国家科技重大专项——超大规模集成电路制造装备及成套工艺。高纯磷烷和高纯砷烷都是LED、超大规模集成电路、砷化镓太阳能电池的重要原材料。与牛共舞资金系统的“个股操盘”指标和“机构底牌”指标提示机会。

功率半导体是指在电子设备中用于电源转换或者电源管理的半导体。随着对节能减排的需求迫切,功率半导体的应用领域已从工业控制和4C领域,进入新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场。据数据显示,2017年全球功率半导体市场中,工业应用市场占比为34%,汽车应用市场占比为23%,消费电子应用占比为20%,无线通讯应用占比为23%。2016年全球工业功率半导体市场规模约为90亿美元,预计2018年市场规模将超100亿美元。到2020年,全球工业功率半导体市场规模达125亿美元。

碳化硅基微波功率器件的核心材料高纯半绝缘碳化硅衬底产品生产、加工难度大,此前只有少数国家掌握该技术,并对他国进行技术封锁和产品禁运。

SiC是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料,已经形成了全球的材料、器件和应用产业链。GaN是另一种重要的宽禁带半导体材料。它具有独特的异质结构和二维电子气,在此基础上研制的高电子迁移率晶体管是一种平面型器件,可以实现低导通电阻、高开关速度的优良特性。以SiC和GaN材料为代表的宽禁带半导体材料和器件产业已成为高科技领域中的战略性产业,国际领先企业已经开始部署市场,全球新一轮的产业升级已经开始。

第二部分:材料和极性,用字母表示;

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但是国产碳化硅实现突破,其功率密度不仅仅可以满足军用,更可以应用到民用5G网络的建设。高纯碳化硅半导体材料技术的成功自研,使得卫星通讯、大数据、云计算、人工智能、物联网等对网络传输速度和容量有极高要求的功率器件的国产化程度更高,这也是自主可控的重大突破。

在专利方面,2001~2010年间,全球电力电子器件行业专利申请量处于稳步增长阶段,每年的全球专利申请量都在1500项左右,器件类型以MOSFET和IGBT为主,申请量占比达到 67%。国际上电力电子器件的专利集中于国际大型公司,全球专利申请量居前5位的分别是东芝、NEC、日立、三菱、富士,均是日本公司,欧洲和美国的GE、英飞凌、西门子、ABB等欧美企业也在该领域申请了大量专利。

第三部分:类别,用字母表示;

第三代半导体器件制备及评价技术取得突破

根据上面的分析,我们可以知道碳化硅是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底材料,也是第三代半导体产业产业链的关键基础材料之一。

综合而言,我国宽禁带电力电子器件技术和产业水平还落后于国际先进水平。以IGBT为例,我国IGBT芯片的进口率居高不下,主要市场仍然被国外企业所主导,严重阻碍了我国独立自主IGBT器件产业的健康发展。

第四部分:序号,用数字表示;

“十二五”期间,863计划重点支持了“第三代半导体器件制备及评价技术”项目。近日,科技部高新司在北京组织召开项目验收会。项目重点围绕第三代半导体技术中的关键材料、关键器件以及关键工艺进行研究,开发出基于新型基板的第三代半导体器件封装技术,满足对应高性能封装和低成本消费级封装的需求,研制出高带宽GaN发光器件及基于发光器件的可见光通信技术,并实现智能家居演示系统的试制;开展第三代半导体封装和系统可靠性研究,形成相关标准或技术规范;制备出高性能SiC及GaN器件。通过项目的实施,我国在第三代半导体关键的SiC和GaN材料、功率器件、高性能封装以及可见光通讯等领域取得突破,自主发展出相关材料与器件的关键技术,有助于支撑我国在节能减排、现代信息工程、现代国防建设上的重大需求。

氮化镓也是一种重要的半导体材料,在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用,用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。

打造完整产业链,制订技术路线图

第五部分:规格号,用字母表示。

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氮化镓比硅基器件贵,但是论系统整体成本,氮化镓与硅基器件的成本差距已经非常小,在大规模量产后可实现比硅器件更高性能与更低成本。

2013年,我国的电力电子器件市场总额近2000亿元,由此直接带动的电力电子装置产业的市场超过2万亿元。中国电器工业协会电力电子分会预测,随着新能源革命的推动,我国电力电子器件产业将迎来10~20年的黄金发展期,将保持较高的增长态势,并在投资增量需求与节能环境需求的双重推动,以及下游电力电子装置行业需求高速发展的拉动下,我国电力电子器件市场到2020年预计将超过5000亿元。在此情况下,发展自主安全可控的功率半导体产业是当务之急。

其中,场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分。

年产1.2亿条蚀刻引线框架项目签约落户蚌埠高新区

简单的来说,碳化硅和氮化镓都是重要的半导体材料,随着半导体照明、电力电子、激光器、太阳能产业的发展,碳化硅做衬底制作出的氮化镓可能是一个半导体材料的突破,而这个突破又是国产芯片突破外部封锁的重要信息之一,所以即便这个创新没有马上应用在实际,但对于未来产业发展具有足够的领导力。

对此,《蓝皮书》指出,电力电子器件产业主要是核心的电力电子芯片和封装的生产,但也离不开半导体和电子材料、关键零部件、制造设备、检测设备等产业的支撑,其发展既需要上游基础的材料产业的支持,又需要下游装置产业的拉动,其产业发展具有投资大、周期较长的特点。

半导体分立器件全球市场分布

日前,年产1.2亿条蚀刻引线框架项目签约仪式在高新区举行。立德集成电路年产1.2亿条蚀刻引线框架项目总投资10亿元,总用地面243亩,计划分三期建设,首期投资4亿元规划建设2700万条蚀刻类引线框架和12000KK件冲压类引线框架生产基地。项目全部建成后,对培育和壮大该市电子信息产业,加快产业转型升级步伐将起到重要地推动作用。

微波通讯的发展,又迫切需要高频大功率的微波器件,西电这个科研成果对于强化我国5G领先水平是具有重要意义的。

“十三五”期间,我国功率半导体为重点的电力电子产业应当以什么样的一幅路线图进行发展?《蓝皮书》建议,2016~2020年,在以下技术和产业进行重点布局,并制定关键材料和关键器件的相关技术标准。其中,近期发展目标可制订为:在硅基电力电子器件用8英寸高阻区熔中照硅单晶圆片,IGBT封装用平板全压接多台架精密陶瓷结构件、氮化铝覆铜板、铝-碳化硅散热基板,6英寸碳化硅单晶及外延材料,6英寸~8英寸硅基GaN外延材料和4~6英寸碳化硅基GaN外延材料、SiC和GaN耐高温(>300oC)封装材料等关键材料方面形成生产能力;关键电力电子器件方面,硅基IGBT芯片、模块以及硅基MOSFET、FRD的国内市场占有率达到一定的份额,形成中低压 SiC功率二极管、JFET和MOSFET以及低压GaN功率器件等器件生产能力,开发相应功率模块。2020年发展目标为:在关键材料方面,形成硅基电力电子器件所需全部材料、碳化硅6英寸单晶和厚外延材料、6~8英寸硅基GaN外延材料和4~6英寸碳化硅基GaN外延材料、SiC和GaN电力电子器件所需高温(>300oC)封装材料等的生产能力,并建立相应标准体系和专利保护机制;在关键电力电子器件方面,硅基IGBT、MOSFET、FRD形成系列化产品,综合性能达到国际先进水平,SiC二极管、晶体管及其模块产品和GaN器件产品具有国际竞争力。

美国:美国半导体分立器件目前居于全球领先地位,拥有一大批如TI、IR(国际整流器)、Diodes、Fairchild(被ON收购)、ON(安森美)、Vishay等在全球拥有绝对影响力的分立器件制造商。除此之外,美国半导体厂商在电源管理芯片领域也拥有绝对优势,其市场客户主要针对亚太市场。

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我们再看看西电芜湖研究院发明的这个材料的信息,由于芜湖院只是西安电子科技大学的分院,因此主要的科研指导人员还是在西安。

欧洲:主要有Infineon(英飞凌)、NXP(被美国高通收购)、ST(意法半导体)等全球知名半导体厂商,产品线齐全,无论是IC还是分立器件都具有领先实力。从市场客户分布来看,亚太地区也是欧洲厂商最大的应用市场,其次是欧洲市场。

石英掩模基板项目落户中德生态园

根据资料显示,西电博导张玉明是西电微电子学院的院长,也是是宽带隙半导体国家重点学科实验室主任,长期在美国从事碳化硅的研究。通过该院的介绍,张玉明团队这次研发的半导体碳化硅衬底及芯片,具有重要的战略价值,因为碳化硅衬底的芯片是美国商务部规定的处于榜首的禁运产品,一旦技术应用于产品,就打破这种国产半导体器件受制于人的局面。

日本:日本也是全球半导体分立器件厂商主力国,主要有东芝(Toshiba)、瑞萨(Renesas)、罗姆(Rohm)、富士电机(Matsushita Fuji)等半导体厂商,日本厂商在半导体分立器件方面具有较强竞争力且厂家众多,但很多厂商的核心业务并非半导体分立器件,从整体市场份额来看,日本厂商落后于美国厂商。从日本厂商的市场客户分布来看,日本国内是其最大的市场,其次是亚太(不包括日本)市场,在欧美市场占有少量的市场份额。

近日,青岛国际经济合作区(中德生态园)管委与芯恩投资、亨通集团在苏州签署了集成电路石英掩模基板项目合作协议。该项目拟利用芯恩(青岛)集成电路项目生产基地,自主研发生产集成电路核心部件之一的石英空白掩模基板,为芯恩(青岛)集成电路项目进行产业链配套的基础上,大力保障国内集成电路材料市场需求。项目计划总投资2.3亿元人民币,达产后预计将实现年营业收入12.2亿元。

上周市场选择了天富能源对标碳化硅的炒作,天富能源旗下天科合达蓝光半导体有限公司是国内领先的专利规模化生产碳化硅的企业。北京天科合达半导体股份有限公司由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立,专业从事第三代半导体碳化硅晶片研发、生产和销售的高新技术企业。公司为全球SiC晶片的主要生产商之一。全资子公司—新疆天科合达蓝光半导体有限公司位于新疆石河子市,主要进行碳化硅晶体生长。

中国台湾:台湾的半导体分立器件芯片及成品市场近年发展较快,拥有立铸(NichTek)、富鼎先进(A-Power)、茂达(Anpec)、崇贸(SG)等厂商。从台湾地区厂商的市场客户分布来看,大陆和台湾本土是其最大的应用市场。产品方面,除了崇贸(SG)提供 AC/DC 产品之外,台湾地区厂商主要偏重于DC/DC领域,主要产品包括线性稳压器和功率MOSFET等。总体来看,台湾地区半导体分立器件厂商的发展较快,技术方面和国际领先厂商间的差距进一步缩小,产品主要应用于计算机主板、显卡和LCD等设备。

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中国大陆:近年,中国半导体分立器件的全球话语权正在稳步提升,目前已是全球最大的分立器件市场。

我国首款商用100G硅光芯片投产

而市场曾经在2018年12月炒作过氮化镓。

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日前,我国自主研发的首款商用“100G硅光收发芯片”正式投产使用。该系列产品支持100—200Gb/s高速光信号传输,具备超小型、高性能、低成本、通用化等优点,可广泛应用于传输网和数据中心光传输设备。据介绍,该款商用化硅光芯片由国家信息光电子创新中心、光迅科技公司等单位联合研制。在一个不到30平方毫米的硅芯片上,集成了包括光发送、调制、接收等近60个有源和无源光元件,是目前世界上集成度最高的商用硅光子集成芯片之一。

在2018年中国国际应用科技交易博览会上,国产5G 通信基站 GaN功率放大器芯片 ,在中国发明成果转化研究院展区对外亮相。GaN芯片已完成多款产品设计,已获得中电集团客户认证成功,2019年正式推出商用后,可全面满足中国5G通信基站对射频功率放大器的需求。受到利好刺激,海特高新连续大涨,因海特高新旗下的海威华芯拥有国内第一条6英寸砷化镓/氮化镓半导体晶圆生产线。

香港、台湾、韩国为国产半导体分立器件主要出口市场,其中,香港为最大出口市场。目前,广东、江苏、上海稳居国内半导体分立器件出口量前三名,国内半导体分立器件出口大省仍以沿海各省为主。

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因为GaN也是第三代半导体 的代表材料。采用GaN的微波射频器件目前主要用于军事领域及5G通讯 基站应用场景,出于军事安全的考量,国外对高性能的氮化镓器件实行对华禁运。因此,发展自主可控GaN射频功放产业,对于打破国外垄断具有重要的意义。

本土分立器件厂商主要有扬杰科技、华微电子、苏州固执锝、台基股份、凯虹科技、华联电子、乐山无线电等。以下为国内半导体分立器件主要制造商(排名不分先后):

中环集团携手国开行,打造中环“芯”

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近日,中环股份控股股东中环集团与国开行天津分行签署战略合作协议。此次签约国开行将向中环集团提供总额100亿的授信额度,今后双方将在集成电路、新能源、军民融合领域开展广泛合作,而此次合作也将着重对中环股份功率器件及集成电路用半导体材料产业进行有力支持。根据协议,双方将在“优势互补、互利共赢、诚实守信、共同发展”的基础上,建立新型的产业集团与金融集团全方位深度合作的新型战略合作伙伴关系,双方将携手共创银企双赢、合作共赢的新局面。

如果周二市场选择再次炒作天富能源,那么碳化硅和砷化镓的题材我认为都有机会发酵,主要选择个股的对象放在碳化硅。

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扬杰电子科技股份有限公司

5G国产芯片明年推出,紫光将进军中高端市场

为A股市场上稀缺的半导体分立器件 IDM 厂商(集芯片设计、半导体制造、封测于一身)。主营业务覆盖各类分立器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品等,产品广泛应用于汽车电子、LED 照明、太阳能光伏、通讯电源、智能电网、逆变器等高增长领域。2015 年公司实现营收 8.34 亿,按收入规模来看公司是国内第二大分立器件上市企业,仅次于华微电子;而按利润规模来看,盈利能力突出,2015 年实现净利润 1.38 亿,远高于竞争对手。

近日,紫光集团全球执行副总裁、紫光展锐首席执行官曾学忠在重庆接受记者采访时透露,紫光将进军中高端芯片市场,计划于2019年实现5G芯片商用,与5G移动网络的部署同步推向市场。在关键的5G技术研发上,紫光展锐已经率先完成了5G原型机pilot-v2的开发。这一5G原型机可以满足5G NR多场景下对高吞吐率、低时延及灵活性的验证需求,为5G试验及验证提供终端样机的解决方案,同时支撑展锐5G芯片的研发和验证。

华微电子股份有限公司

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2001 年3月在上海证券交易所上市,是国内功率半导体器件领域首家上市公司。华微电子拥有4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线,芯片加工能力为每年400余万片,封装资源为60亿只/年。

汽车芯片成热门,美光12年内将投30亿美元扩建工厂

汕头华汕电子器件有限公司

据路透社报道,芯片制造商美光科技表示,计划未来12年内在美国弗吉尼亚州投入30亿美元扩建工厂,此次扩张旨在满足汽车芯片日益增长的需求。在防撞系统或车道偏离警告系统等功能上,这类芯片的计算性能正不断提升。美光科技预计,到2021年,这一市场将翻一番,达到60亿美元。这笔资金将用于在一所现有工厂中建造约9290平方米、用来制造存储芯片的额外“洁净室”。这个工厂位于弗吉尼亚州马纳萨斯,目前大约聘用了1500名员工。美光预计,扩建完成后,将为工程师和技术人员创造1100个永久性工作岗位。

前身为汕头华汕电子器件公司,2000年改制设立为有限责任公司,专业生产、销售半导体晶体管。华汕电子先后成为创维、TCL、长城电子、飞利浦照明、易事特、金河田和舒马克等的供应商。

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乐山无线电股份有限公司

华为麒麟980发布

创建于1970年,国内半导体分立器件主要供应商之一。旗下子公司有成都先进功率半导体股份有限公司、乐山菲尼克斯半导体有限公司、成都蜀芯集成电路设计有限公司、乐山飞舸模具有限公司等。

华为在德国IFA2018展会上发布新一代移动SOC处理器麒麟980,采用7nm制程工艺,具有AI调频调度技术,支持5G功能等。麒麟980实现了基于Cortex-A76的开发商用,相较上一代处理器在表现上提升75%,在能效上提升58%,采用7nm制程工艺的手机芯片,在指甲盖大小的尺寸上塞进69亿个晶体管。HUAWEI Mate 20将作为首个搭载麒麟980芯片的智慧手机,该系列将于10月发布。

苏州固锝电子股份有限公司

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创建于1990年,于2006年在深交所上市。苏州固锝下辖8个子公司,是国内半导体分立器件二极管行业最完善、最齐全的设计、制造、封装、销售的厂商。2015至2016前三季度收入分别为:8.12亿、8.54亿元。

NEC投资美国虹膜生物识别系统公司Tascent

湖北台基半导体股份有限公司

NEC Corporation宣布投资总部位于美国的生物识别系统公司Tascent, Inc.,目的是加速其安全业务的全球扩张。最近透过多模态生物识别以进一步加强安全性的需求正在迅速增长,在这种背景下,虹膜识别市场可望实现显著成长,NEC开发生物识别技术已有40多年,使用NEC Bio-Idiom生物识别技术的系统已被全球70个国家和地区的700多套系统所采用。不但如此,NEC的虹膜识别被美国国家标准与技术研究院评为世界最准确的虹膜识别技术,该研究院最近还将NEC的脸部识别和指纹识别技术评为这两个领域最准确的识别技术。这项投资和合作将使两家公司利用Tascent的光学控制和UI技术以及NEC先进的生物识别引擎,共同提升虹膜识别能力,为公共安全市场建立下一代虹膜认证产品。

深交所创业板上市公司,创立于2004年,专注于大功率晶闸管及模块的研发、制造、销售及相关服务。年产280万只大功率晶闸管及模块的生产能力,是我国销量最大的大功率半导体器件供应商。

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泰州明昕微电子有限公司

责任编辑:

北京大恒新纪元科技股份有限公司旗下全资控股公司,成立于2011年1月,前身为宁波明昕微电子股份有限公司,主要生产半导体器件,具备年产20亿只半导体分立器件的生产能力。

阜新嘉隆电子有限公司

前身为阜新晶体管厂,始建于1965年,是我国最早专业化生产电力半导体器件企业之一。

成都亚光电子股份有限公司

国内第一批研制生产微波半导体器件及电路厂商,中国第一只微波半导体二极管就诞生在该公司。

丹东欣港电子有限公司

中美合资企业,前身为丹东半导体器件总厂分立器件封装厂,自1966年开始从事半导体分立器件专业生产,是国内最早生产片式分立器件的厂家。

佛山市蓝箭电子股份有限公司

创建于1969年,国内著名的半导体器件专业研发制造商。年产100亿只的生产规模,在国内同行名列前茅,居华南地区第一位,是华南地区主要的半导体器件生产基地。

华润微电子有限公司

华润集团旗下负责微电子业务的企业,亦是中国本土规模和影响力最大的综合性微电子企业之一,聚焦于模拟与功率半导体等领域,主要业务包括集成电路设计、掩模制造、晶圆制造、封装测试及分立器件,目前拥有6-8英寸晶圆生产线4条、封装生产线2条、掩模生产线1条、设计公司4家,为国内唯一拥有齐全半导体产业链的企业。

天津中环半导体股份有限公司

深交所上市公司,生产半导体分立器件的专业厂家,高压硅堆、硅整流二极管、硅桥式整流器等。

江苏东晨电子科技有限公司

建于2009年,前身江苏东光微电子股份有限公司,于2010年11月18日在深圳证券交易所中小板上市,中国功率类半导体分立器件及集成电路领域的领导者。旗下拥有四家子公司,浙江长兴电子厂有限公司、无锡迅驰电子科技有限公司、江苏东光电子有限公司、无锡矽能电子科技有限公司。

南通皋鑫电子股份有限公司

专业生产半导体分立器件——塑封高压二极管(俗称“硅粒子”、“硅堆”),现年产各种规格高压二极管(工作电流5-500mA,反向重复电压3-20KV)达400KK以上。

深圳深爱半导体股份有限公司

由赛格集团、循杰投资、远致投资三家企业共同出资建立,主要生产功率半导体芯片及器件,成立于1988年2月,2010年经股份制改造后转型为股份有限公司并于2015年8月在新三板挂牌。拥有占地10万平方米的功率半导体器件生产园区,目前是深圳唯一一家具有前、后工序生产线的功率半导体器件制造企业。

中国现有的半导体分立器件专利

半导体分立器件隶属于半导体大类,是半导体产业的基础及核心领域之一。目前,中国主要半导体分立器件专利如下:

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